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NH3等离子体后处理Co掺杂ZnO的薄膜结构及磁学性能
作者姓名:曹萍  白越  赵东旭  申德振
作者单位:1. 长春工程学院, 吉林 长春 130012; 2. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033; 3. 中国科学院 激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033
基金项目:国家自然科学基金(50905174); 吉林省科技发展计划(201101090)资助项目
摘    要:通过电化学沉积方法成功生长了Co掺杂ZnO的薄膜,但并没有实现室温下的铁磁性.通过NH3等离子体的后处理,导致有一部分N原子进入了ZnO晶格替代了一部分O格位,从而在ZnO中产生空穴.在空穴间接交换作用下,ZnCoO薄膜中产生了被束缚的磁极子,产生了室温下的铁磁性.

关 键 词:ZnO  铁磁性  Co掺杂
收稿时间:2010-06-10
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