NH3等离子体后处理Co掺杂ZnO的薄膜结构及磁学性能 |
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作者姓名: | 曹萍 白越 赵东旭 申德振 |
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作者单位: | 1. 长春工程学院, 吉林 长春 130012;
2. 中国科学院 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033;
3. 中国科学院 激发态物理重点实验室 长春光学精密机械与物理研究所, 吉林 长春 130033 |
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基金项目: | 国家自然科学基金(50905174); 吉林省科技发展计划(201101090)资助项目 |
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摘 要: | 通过电化学沉积方法成功生长了Co掺杂ZnO的薄膜,但并没有实现室温下的铁磁性.通过NH3等离子体的后处理,导致有一部分N原子进入了ZnO晶格替代了一部分O格位,从而在ZnO中产生空穴.在空穴间接交换作用下,ZnCoO薄膜中产生了被束缚的磁极子,产生了室温下的铁磁性.
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关 键 词: | ZnO 铁磁性 Co掺杂 |
收稿时间: | 2010-06-10 |
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