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Si掺杂Ag基超分辨薄膜读出性能研究
作者姓名:赵石磊  耿永友  施宏仁
作者单位:1.中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储技术实验室,上海,201800;2.中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储技术实验室,上海,201800;3.中国科学院上海光学精密机械研究所高密度光存储技术实验室,上海,201800
基金项目:国家自然科学基金(61137002,61178059)资助课题。
摘    要:超分辨薄膜是一种能够实现突破光学衍射极限的功能薄膜,它在超分辨近场光存储技术中起到至关重要的作用.采用磁控溅射共溅的方式制备了Ag掺杂一定量Si的超分辨复合薄膜,测试了其作为掩膜层的超分辨光盘读出性能,并获得了最佳的薄膜制备条件,即当Ag溅射功率为55W,Si为95W,溅射时间为80s,薄膜厚度为39nm时,超分辨光盘的读出信号载噪比(CNR)最高为28dB.用X射线光电子能谱测量了上述薄膜的组成,用扫描电子显微镜观察了薄膜微区形貌,并用椭圆偏振光谱仪测量了薄膜的光学常数和厚度.超分辨复合薄膜的读出机理可以用Ag的散射型机理解释.光盘在持续读出10万次以后读出信号基本没有下降.

关 键 词:光存储  超分辨薄膜  共溅  载噪比  稳定性
收稿时间:2011-12-12
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