| 氧气氛低温退火Pt/Ba0.8Sr0.2TiO3Pt引起的低频介电弛豫效应 |
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| 引用本文： | 董正高,沈明荣,徐闰,甘肇强,葛水兵.氧气氛低温退火Pt/Ba0.8Sr0.2TiO3Pt引起的低频介电弛豫效应[J].物理学报,2002,51(12):2896-2900. |
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| 作者姓名： | 董正高 沈明荣 徐闰 甘肇强 葛水兵 |
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| 作者单位： | 苏州大学物理系,苏州215006 |
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| 基金项目： | 江苏省青年科技基金 (批准号 :BQ980 3 7)资助的课题 |
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| 摘 要： | 研究了在不同温度区间氧气氛和氮气氛退火后处理对PtBa0.8Sr0.2TiO3Pt介电特性的影响.经过高温550℃氮气退火处理后,再放入350℃的氧气中退火,发现样品的介电特性出现了非常明显的低频弛豫现象,并且这种低频弛豫现象在350℃的氮气中退火后将会消失.通过在出现低频弛豫现象的样品的上下电极加一偏压,可以发现低频弛豫现象更加明显,并且在撤消偏压后这种增强将会逐渐减弱,直至最终恢复到偏压前的弛豫状态
关键词：
脉冲激光沉积
介电弛豫
动态随机存储器
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| 关 键 词： | 脉冲激光沉积 介电弛豫 动态随机存储器 |
| 文章编号： | 1000-3290/2002/51(12)2896-05 |
| 修稿时间： | 2001年11月10 |
The low-frequency dielectric relaxation in Pt/Ba0.8Sr0.2TiO3/Pt thin film capacitors post annealed at low temperatures in oxygen ambient |
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| Dong Zheng-Gao,Shen Ming-Rong,Xu Run,Gan Zhao-Qiang and Ge Shui-Bing.The low-frequency dielectric relaxation in Pt/Ba0.8Sr0.2TiO3/Pt thin film capacitors post annealed at low temperatures in oxygen ambient[J].Acta Physica Sinica,2002,51(12):2896-2900. |
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| Authors: | Dong Zheng-Gao Shen Ming-Rong Xu Run Gan Zhao-Qiang and Ge Shui-Bing |
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| Abstract: |
Keywords： |
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| Keywords: | pulsed laser depositio dielectric relaxation DRAM |
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