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Rb原子修饰缺陷h-BN单层储氢性能的第一性原理研究
引用本文:王丽春,张志才,马良财,马玲.Rb原子修饰缺陷h-BN单层储氢性能的第一性原理研究[J].原子与分子物理学报,2022,39(6):066003-158.
作者姓名:王丽春  张志才  马良财  马玲
作者单位:宁夏大学,宁夏大学,宁夏大学,宁夏大学
摘    要:基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,系统的研究了碱金属Rb原子修饰具有空位缺陷h-BN单层体系的储氢性能.发现Rb原子可稳定吸附在h-BN单层的B单空位缺陷(VB)上,且Rb原子间无团簇倾向,单个Rb原子最多可稳定吸附5个H2分子,H2分子平均吸附能在0.18-0.21 eV范围内.电子结构分析表明H2分子主要通过极化机制和轨道杂化作用吸附在Rb修饰的缺陷h-BN单层体系上.Rb双侧修饰缺陷h-BN单层体系的理论储氢质量比可以达到5.0 wt%.基于范特霍夫方程和从头算分子动力学(AIMD)模拟对储氢体系的热力学稳定性进行了进一步的研究.

关 键 词:第一性原理  缺陷BN单层  储氢
收稿时间:2021/10/14 0:00:00
修稿时间:2021/11/18 0:00:00

First-principles Study on Hydrogen Storage Property of Rb-decorated defective h-BN monolayer
Wang Li-Chun,Zhang Zhi-Cai,Ma Liang-Cai and Ma Lin.First-principles Study on Hydrogen Storage Property of Rb-decorated defective h-BN monolayer[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2022,39(6):066003-158.
Authors:Wang Li-Chun  Zhang Zhi-Cai  Ma Liang-Cai and Ma Lin
Institution:Ningxia University,Ningxia University,Ningxia University,Ningxia University
Abstract:
Keywords:First-principle calculation  Defective BN monolayer  Hydrogen storage
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