| Y、Zr、Nb掺杂ZnS半导体第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 刘远全.Y、Zr、Nb掺杂ZnS半导体第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2017,34(5):969-972. |
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| 作者姓名： | 刘远全 |
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| 作者单位： | 重庆财经职业学院 |
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| 摘 要： | 本文采用第一性原理研究了Y,Zr,Nb在Zn位掺杂ZnS半导体的能带结构和态密度.研究结果表明:Y,Zr,Nb掺杂体系的价带顶与导带底都在布里渊区的G点,为直接带隙半导体材料,掺杂对带隙宽度影响不大,掺杂结构的导带向低能区移动;Y,Zr,Nb在Zn位掺杂的Zn S的费米能级从价带顶移至导带底,说明掺杂后ZnS半导体材料从p型转变为n型,同时费米能级处出现数条杂质能级;Y,Zr,Nb掺杂体系的总态密度的贡献主要来源于Zn 4s、Y,Zr,Nb的4d 5s以及S 3p相互作用.
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| 关 键 词： | 第一性原理 能带结构 态密度 ZnS |
| 收稿时间： | 2016/12/13 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2017/1/16 0:00:00 |
First principles calculation on the properties of Y, Zr and Nb doped ZnS |
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| Liu Yuan-Quan.First principles calculation on the properties of Y, Zr and Nb doped ZnS[J].Journal of Atomic and Molecular Physics,2017,34(5):969-972. |
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| Authors: | Liu Yuan-Quan |
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| Keywords: | First-principles band structure density of states ZnS |
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