| 具有二氧化硅温度补偿层的薄膜体声波谐振器的建模与分析（英） |
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| 引用本文： | 高杨, 周斌, 何移, 等. 具有二氧化硅温度补偿层的薄膜体声波谐振器的建模与分析（英）[J]. 强激光与粒子束, 2015, 27: 014103. doi: 10.11884/HPLPB201527.014103 |
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| 作者姓名： | 高杨 周斌 何移 何婉婧 |
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| 作者单位： | 1.中国工程物理研究院 电子工程研究所, 四川 绵阳 621 900;;;2.西南科技大学 信息工程学院, 四川 绵阳 621 01 0;;;3.重庆大学 新型微纳器件与系统技术国防重点学科实验室, 重庆 400044 |
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| 摘 要： | 薄膜体声波谐振器(FBAR)的谐振频率会受到外界环境温度的影响而产生漂移,对于FBAR滤波器而言,这种温度-频率漂移特性会导致其中心频率、插入损耗、带内纹波等性能发生变化,降低其在电学应用中的可靠性。应用ANSYS有限元分析软件,对一个典型Mo-AlN-Mo三层结构的FBAR进行了温度-频率漂移特性的仿真,得到其在［－50 ℃, 150 ℃］温度范围内的频率温度系数(TCF)约为－3510－6/℃。在FBAR叠层薄膜结构中添加了一层具有正温度系数的二氧化硅温度补偿层,分析了该补偿层厚度对FBAR的温度-频率漂移特性、谐振频率和机电耦合特性的影响。设计了具有一层二氧化硅温度补偿层的FBAR叠层,由Mo/AlN/SiO2/Mo多层薄膜构成,仿真得到其频率温度系数为0.87210－6/℃;与没有温度补偿层的FBAR相比,温度稳定性得以显著改善。关键词: Abstract: Key words:
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| 关 键 词： | 射频微电子机械系统 薄膜体声波谐振器 频率漂移 温度系数 稳定性 有限元分析 |
| 收稿时间： | 2014-10-23 |
| 修稿时间： | 2014-12-22 |
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