| 片状立方氮化硼合成及其导电特性研究 |
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| 引用本文： | 张铁臣,王明光.片状立方氮化硼合成及其导电特性研究[J].高压物理学报,1998,12(3):168-173. |
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| 作者姓名： | 张铁臣 王明光 |
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| 作者单位： | 吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春，130023，吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春，130023，吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春，130023，吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春，130023，吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春，130023，吉林大学超硬材料国家重点实验室!长春，1300 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金!69576012 |
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| 摘 要： | 通过控制高压腔内的温度、压力梯度合成了粒径300～500 μm的片状立方氮化硼（cBN）单晶体。通过在原料中掺杂及对合成晶体的真空高温扩散掺杂，获得了具有半导体导电性的立方氯化硼材料并测试了其V-A特性。
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| 关 键 词： | 合成 cBN V-A特性 |
| 收稿时间： | 1998-03-27; |
STUDY ON SYNTHESIZING FLAKY cBN CRYSTALS AND ITS CONDUCTION PROPERTY |
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| Zhang Tiechen,Wang Mingguang,Guo Weili, Liu Jianting,Gao Chunxiao,Zou Guangtian.STUDY ON SYNTHESIZING FLAKY cBN CRYSTALS AND ITS CONDUCTION PROPERTY[J].Chinese Journal of High Pressure Physics,1998,12(3):168-173. |
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| Authors: | Zhang Tiechen Wang Mingguang Guo Weili Liu Jianting Gao Chunxiao Zou Guangtian |
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| Institution: | State Key Laboratory of Superhard Materials, Jilin University, Changchun 130023, China |
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| Abstract: | We synthesized flaky cBN crystals that the grade of which is about 300~500 μm by method of controlling temperature and pressure gradient in synthesized cell. The cBN crystal material with semiconductor characteristic is obtained by mixing method in material and in the high temperature-vacuum diffusion process. At the same time its V-A characteristic curves were tested. |
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| Keywords: | synthesize cBN V-A characteristic curve |
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