摘 要: | 采用量子化学方法研究了一系列含π-富电子烷基噻吩和间位或对位连接的π-缺电子吡啶共聚物,p1,p2,p3。运用密度泛函B3LYP方法对其基态和激发态进行几何构型优化,并采用含时密度泛函TD-DFT 方法和ZINDO/S方法分别计算了其相应化合物的光谱性质。通过外推低聚物的能隙(△H-L),最低激发能(Eex),电离势(IP),电子亲和势(EA)至链长倒数为零(1/n = 0)得到相应高聚物的对应性质的相关数据。计算结果表明,拉电子的吡啶基团使EA提高,即相应提高了电子的传输和注入能力。此外,含较少的吡啶成分和其在主链中以对位连接使其能隙变得更小,并导致吸收峰和发射峰红移。
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