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| 坩埚下降法生长太阳能电池用砷化镓晶体 | |
| 作者姓名： | 金 敏 徐家跃 何庆波 |
| 作者单位： | 上海应用技术学院材料科学与工程学院;昆山鼎晶镓业晶体材料有限公司; |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(51002096);姑苏昆山双创计划(ZXL2012081、KSRCA15);江苏省技术创新项目(BC2013155) |
| 摘 要： | 采用坩埚下降法进行了太阳能电池用砷化镓晶体的生长研究。掺杂硅含量为万分之五可使砷化镓晶体的载流子浓度达到太阳能电池使用要求。孪晶是坩埚下降法生长砷化镓晶体遇到的主要缺陷。通过调节坩埚下降速度以及优化热场环境等手段,成功的获得了一根直径2英寸、长度约140 mm、成晶率接近100%的砷化镓单晶。晶体整体平均位错密度小于1000/cm2,载流子浓度在1.4~2.1×1018/cm3之间。 |
| 关 键 词： | 坩埚下降法 太阳能电池 砷化镓晶体 孪晶 |
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