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| 单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池数值模拟 | |
| 作者姓名： | 陈云 蔡厚道 |
| 作者单位： | 江西科技学院智能工程学院,南昌 330098;江西科技学院智能工程学院,南昌 330098 |
| 基金项目： | 江西省教育厅科学技术研究项目(GJJ180974) |
| 摘 要： | 单层二硫化钼(MoS2)是一种具有优异光电性能的半导体材料,在太阳能能量转换中表现出很大的应用潜力。本文基于AMPS模拟软件,对单层n型MoS2/p型c-Si异质结太阳电池进行了数值模拟与分析。通过模拟优化,n型MoS2的电子亲和能为3.75 eV、掺杂浓度为1018 cm-3,p型c-Si的掺杂浓度为1017 cm-3时,太阳电池能够取得最高22.1%的转换效率。最后模拟了n型MoS2/p型c-Si异质结界面处的界面态对太阳电池性能的影响,发现界面态密度超过1011 cm-2·eV-1时会严重影响太阳电池的光伏性能。 |
| 关 键 词： | 二硫化钼 c-Si 异质结太阳电池 转换效率 二维材料 数值模拟 |
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