| 激光诱导直接化学光刻 |
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| 引用本文： | 李丁,顾原岗,沈光平,邱明新.激光诱导直接化学光刻[J].光学学报,1987(1). |
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| 作者姓名： | 李丁 顾原岗 沈光平 邱明新 |
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| 作者单位： | 上海激光技术研究所
(李丁，顾原岗，沈光平)，上海激光技术研究所(邱明新) |
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| 摘 要： | 本文利用Ar~+激光倍频257.3nm进行扫描蚀刻Si、GaAs和Zn片,获得的最小光刻线宽为1.2μm,给出蚀刻深度与光强/扫描速度的关系曲线等参量,首次利用光刻技术估计卤素自由基的扩散系数、自由路程以及激光聚焦光斑大小,以及观察到阈值现象。
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| 关 键 词： | 刻光 激光诱导化学 气相光刻 光分解光刻 |
Laser induced chemical etching by a single step |
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| LI DING,GU YUANGANG,SHEN GUANGPING AND QIU MINGXIN.Laser induced chemical etching by a single step[J].Acta Optica Sinica,1987(1). |
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| Authors: | LI DING GU YUANGANG SHEN GUANGPING AND QIU MINGXIN |
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| Institution: | Shanghai Institute of Laser Technology |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | Photoetohing Laser-induced chemistry Etching in gas Photolytic etching |
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