| 杂多蓝质子化点位的新证据──现场光透薄层FTIR光谱电化学的研究结果 |
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| 引用本文： | 张淑艳,孙浩然,刑永恒,杨国昱,徐吉庆.杂多蓝质子化点位的新证据──现场光透薄层FTIR光谱电化学的研究结果[J].高等学校化学学报,1997,18(6):955. |
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| 作者姓名： | 张淑艳 孙浩然 刑永恒 杨国昱 徐吉庆 |
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| 作者单位： | 吉林大学化学系, 长春, 130023 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，吉林省科委科技发展计划资助 |
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| 摘 要： | 杂多阴离子在质子介质中的电还原行为已有大量报道“，“，已经证明杂多阴离子在还原后有质子化的过程发生，然而仅能从理论上推断质子化发生在桥氧上，尽管中子衍射可确定结晶中的质子位置，但是该方法太复杂，并且无法在溶液中进行现场研究．本文以现场FTIR光谱电化学方法对杂多阴离子PMO；刀X在质子介质中的电还原行为进行了研究，给出了杂多蓝质子化发生在桥氧上的新证据．考虑到红外光谱电化学方法中使用NaCI盐窗的要求和水溶液的强吸收等问题，我们选用经高氯酸酸化的乙脂溶液作为研究体系．1实验部分按文献［’1方法制备TBAsP…
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| 关 键 词： | 质子化点位 现场光透薄层FTIR光谱电化学 杂多蓝 |
| 收稿时间： | 1996-11-12 |
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