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金属有机分解法制备无铅K0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜
引用本文:杨长红,王卓,韩建儒. 金属有机分解法制备无铅K0.5Bi0.5TiO3铁电薄膜[J]. 人工晶体学报, 2004, 33(5): 762-764
作者姓名:杨长红  王卓  韩建儒
作者单位:山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100
基金项目:国家自然科学基金(No.50172031,60278036)资助项目
摘    要:
采用金属有机分解法(MOD)在p型Si(111)衬底上制备了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)薄膜.用X射线衍射技术研究了薄膜的结构和结晶性.同时还研究了薄膜的绝缘性和存储性能.结果发现在740°C下退火4min的KBT薄膜呈钙钛矿结构;在0~8V范围内,薄膜的漏电流小于1.5×10-9A;在-12~+8V的偏压范围内,C-V记忆窗口宽度为10V.

关 键 词:金属有机分解法  KBT  铁电薄膜,
文章编号:1000-985X(2004)05-0762-03

Preparation of Lead-free K0.5Bi0.5TiO3 Ferroelectric Thin Films by Metalorganic Decomposition Method
YANG Chang-hong,WANG Zhuo,HAN Jian-ru. Preparation of Lead-free K0.5Bi0.5TiO3 Ferroelectric Thin Films by Metalorganic Decomposition Method[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2004, 33(5): 762-764
Authors:YANG Chang-hong  WANG Zhuo  HAN Jian-ru
Abstract:
Keywords:metalorganic decomposition  K_(0.5)Bi_(0.5)TiO_3  ferroelectric thin films
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