| 一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管 |
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| 引用本文： | 刘喆,唐喆,崔得良,徐现刚.一种基于能带工程设计的CaAsSb/InP异质结双极晶体三极管[J].物理,2002,31(5):306-309. |
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| 作者姓名： | 刘喆 唐喆 崔得良 徐现刚 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 (批准号 :6 0 0 2 5 40 9)资助项目 |
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| 摘 要： | 异质结晶体三极管（HBT）的性能与其材料体系密不可分，利用能带工程可以大大优化器件的结构，提高器件性能，文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手，介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能，分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性，说明了对HBT的各区材料，其带边的相对位置所起的重要作用，最后，文章还报道了近期的实验情况，说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。
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| 关 键 词： | 能带工程 异质结双极晶体三极管 GaAsSb／InP HBT |
| 修稿时间： | 2001年5月21日 |
A NOVEL GaAsSb/InP HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR BASED ON BANDGAP ENGINEERING |
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| LIU Zhe TANG Zhe CUI De-Liang XU Xian-Gang.A NOVEL GaAsSb/InP HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR BASED ON BANDGAP ENGINEERING[J].Physics,2002,31(5):306-309. |
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| Authors: | LIU Zhe TANG Zhe CUI De-Liang XU Xian-Gang |
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| Abstract: | The characteristics of a heterojunction bipolar transistor (HBT) depends closely on the properties of the material system and can be improved greatly by bandgap engineering. A novel HBT system consisting of GaAsSb/InP heterostructures and based on bandgap engineering has much better device characteristics than other material systems. Furthermore, the relative position of the bandedge plays a very important role in each of the HBTs. Recent results show that the actual properties of these GaAsSb/InP HBTs are consistent with the predictions of theoretical analysis. |
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| Keywords: | heterojunction bipolar transistor bandgap engineering GaAsSb/InP |
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