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氧离子注入隔离的全内反射型光波导开关
作者姓名:庄婉如  杨培生  孙富荣  石志文  段继宁  邹正中  高俊华
作者单位:1.集成光电子学国家重点联合实验室, 中国科学院半导体研究所,北京,100083
基金项目:国家863计划资助项目
摘    要:研制了一种全内反射型InGaAsP/InP光波导开关。采用氧离子注入形成的高阻特性来作为载流予注入区的隔离。由此获得陡峭的反射面,改善了光开关的性能。在入射光波长为1.3um,注入电流为32mAT得到光开关反射端消光比为18dB,无注入时的关态串话为-19dB.

关 键 词:光开关  离子注入  光波导  集成光学
收稿时间:1994-10-18
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