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| (SiO_2)_n~-(n≤7)团簇的密度泛函研究 | |
| 引用本文： | 张岩,陈雪风,齐凯天,李兵,杨传路,盛勇.(SiO_2)_n~-(n≤7)团簇的密度泛函研究[J].物理学报,2010,59(7):4598-4601. |
| 作者姓名： | 张岩 陈雪风 齐凯天 李兵 杨传路 盛勇 |
| 作者单位： | 1. 四川大学材料科学与工程学院,成都,610065 2. 鲁东大学物理与电子工程学院.烟台264025 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号: 10674114) 资助的课题. |
| 摘 要： | 采用密度泛函理论中的广义梯度近似对(SiO2)n-(n≤7)负离子团簇的几何构型进行了优化,并对能量和频率进行了计算.通过对计算结果的分析发现,与近邻尺寸的团簇比较,(SiO2)4-团簇最低能量结构更加稳定;(SiO2)n-(n≥4)团簇的最低能量结构是以(SiO2)4-为基础结构,具有一定的生长规律. |
| 关 键 词： | 二氧化硅 负离子团簇 密度泛函 |
| 收稿时间： | 2009-09-16 |
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