| 磨料粒度对雾化施液CMP抛光速率的影响及机理研究 |
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| 引用本文： | 王陈,李庆忠,朱仌.磨料粒度对雾化施液CMP抛光速率的影响及机理研究[J].人工晶体学报,2014,43(7):1729-1733. |
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| 作者姓名： | 王陈 李庆忠 朱仌 |
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| 作者单位： | 江南大学机械工程学院,无锡,214122 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51175228) |
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| 摘 要： | 针对超声波雾化施液化学机械抛光过程中磨料的机械作用和化学特性从化学动力学及分子动力学两方面研究了抛光液磨料粒度对材料去除速率的影响和机理.采用不同粒度的磨料及组合进行了雾化施液CMP抛光实验.实验结果表明:磨料粒径在15 nm至30 nm范围内,粒度比较大的磨料能够传递更多的机械能,较小的磨料比较大的磨料具有更强的化学活性,对硅片表面材料的去除影响更为显著.向当前抛光液中加入5wt;的15 nmSiO2时,材料去除率增加至196.822 nm/min,而加入相同质量的30 nm SiO2时,材料去除率增加至191.828 nm/min.说明小尺寸的磨料在雾化施液CMP过程中不仅起着机械作用,还起着增强化学活性的作用.
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| 关 键 词： | 超声波 雾化施液 CMP 磨料粒径 材料去除率 |
Effects of Abrasive Grain on Removal Rate in Atomization CMP |
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| WANG Chen,LI Qing-zhong,ZHU Bing.Effects of Abrasive Grain on Removal Rate in Atomization CMP[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(7):1729-1733. |
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| Authors: | WANG Chen LI Qing-zhong ZHU Bing |
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