| PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析 |
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| 引用本文： | 张林睿,周炳卿,高玉伟,张龙龙,张娜,路小翠. PECVD沉积硅薄膜退火性质的分析[J]. 人工晶体学报, 2014, 43(12): 3145-3150 |
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| 作者姓名： | 张林睿 周炳卿 高玉伟 张龙龙 张娜 路小翠 |
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| 作者单位： | 内蒙古师范大学物理与电子信息学院,功能材料物理与化学自治区重点实验室,呼和浩特010022 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51262022);内蒙古师范大学“十百千”人才工程资助项目(RCPY-2-2012-K-041) |
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| 摘 要： | ![]()
利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)制备硅薄膜,对硅薄膜进行退火处理.通过X射线衍射谱,拉曼光谱以及傅里叶变换红外吸收光谱,研究了退火温度在550～ 700℃范围内,硅薄膜退火过程中的生长特性.实验表明:多晶硅的晶粒尺寸并不随着退火温度的提高而持续增大,当退火温度在550～650℃范围内,硅薄膜始终表现出(111)方向的择优生长取向.当退火温度高于650℃时,氧原子活性增强,硅-氧键增加.对于存在应变、已结晶的薄膜,由于内部应力的累积,薄膜更容易随着退火温度的升高而脱落.
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| 关 键 词： | 等离子体增强化学气相沉积 硅薄膜 退火, |
Properties Analysis of Silicon Film Deposited by PECVD after Annealing |
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| ZHANG Lin-rui,ZHOU Bing-qing,GAO Yu-wei,ZHANG Long-long,ZHANG Na,LU Xiao-cui. Properties Analysis of Silicon Film Deposited by PECVD after Annealing[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2014, 43(12): 3145-3150 |
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| Authors: | ZHANG Lin-rui ZHOU Bing-qing GAO Yu-wei ZHANG Long-long ZHANG Na LU Xiao-cui |
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| Abstract: | ![]()
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| Keywords: | |
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