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Sr-F共掺杂的SnO2基透明导电薄膜
引用本文:吴绍航,张楠,郭晓阳,蒋大鹏,刘星元.Sr-F共掺杂的SnO2基透明导电薄膜[J].发光学报,2015(7).
作者姓名:吴绍航  张楠  郭晓阳  蒋大鹏  刘星元
作者单位:1. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春 130033; 中国科学院大学,北京 100049
2. 发光学及应用国家重点实验室 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,吉林 长春,130033
基金项目:国家自然科学基金,吉林省科技发展计划
摘    要:利用离子源辅助的电子束热蒸发技术研制了高性能的Sr-F共掺杂SnO2( SFTO)基透明导电薄膜。所制备的SFTO薄膜具有良好的导电性和透过率,电阻率低于3.9×10-3Ω·cm,380~2500 nm波段的平均透过率大于85%,功函数约为5.10 eV。 SFTO透明导电薄膜为非晶态薄膜,具有较好的表面平整度( Rq <1.5 nm)。与工业上F掺杂SnO2薄膜的衬底温度(>450℃)相比,本文所用的衬底温度仅为300℃,有望直接将SnO2基透明导电非晶薄膜制备到柔性的塑料( PI、PAR或PCO)衬底上以获得性能良好的柔性电极。

关 键 词:透明导电薄膜  无铟  SnO2  半导体掺杂

Sr-F Codoped SnO2 Transparent Conductive Film
WU Shao-hang,ZHANG Nan,GUO Xiao-yang,JIANG Da-peng,LIU Xing-yuan.Sr-F Codoped SnO2 Transparent Conductive Film[J].Chinese Journal of Luminescence,2015(7).
Authors:WU Shao-hang  ZHANG Nan  GUO Xiao-yang  JIANG Da-peng  LIU Xing-yuan
Abstract:
Keywords:transparent conductive film  non-indium  SnO2  semiconductor doping
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