| 界面生长中断对GaAs (111)衬底上 AlGaAs/GaAs量子阱电子自旋寿命的影响 |
| |
| 作者姓名： | 杨成良 叶慧琪 王文新 高汉超 胡长城 刘宝利 陈弘 |
| |
| 作者单位： | 1.首都师范大学 物理系, 北京 100048;2.中国科学院物理研究所 北京凝聚态物理国家实验室, 北京 100190;3.吉林大学 物理学院, 吉林 长春 130031 |
| |
| 摘 要： | 用固源分子束外延技术(SSMBE)在GaAs(111)衬底上,采用不同的界面中断时间生长了多组AlGaAs/GaAs多量子阱样品(MQWs),通过室温发光光谱和时间分辨克尔旋转谱(TRKR)研究了界面生长中断对发光光谱半峰全宽(FWHM)和量子阱中电子自旋弛豫时间(自旋寿命)的影响,发现了自旋寿命随着界面生长中断时间的增加呈现先减小后增加的趋势,此变化趋势与荧光光谱半峰全宽表征的材料质量随中断时间的变化一致,适当的界面生长中断时间能有效的增加GaAs(111)衬底上AlGaAs/GaAs多量子阱中电子自旋寿命。
|
| 关 键 词： | 时间分辨克尔旋转谱 多量子阱 分子束外延 光致发光 |
| 收稿时间： | 2008-08-25 |
| 修稿时间： | 1900-01-02 |
| 本文献已被 CNKI 维普 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《发光学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《发光学报》下载全文 |
|
