γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心红外吸收带及其指认

用Fourier变换红外吸收光谱(FT-IR)和深能级瞬态谱(DLTS)技术研究了γ射线辐照与中子辐照硅,发现γ射线辐照单晶硅中双空位的产生率很低,可以用它帮助鉴别辐照点缺陷。γ射线辐照氢气氛生长硅产生的Si—H中心伸缩振动吸收带数目较中子辐照的为少,只产生了1832,2054和1980cm^-1三条新的谱带。本文讨论了它们的模型并估算了它们的光吸收截面。