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| 中子辐照硅中一个新的EPR缺陷及氢对它的影响 | |
| 作者姓名： | 吴书祥晏懋洵 许惠英毛晋昌 吴恩 |
| 作者单位： | 北京大学物理系 |
| 摘 要： | 在中子辐照区熔硅中,观测到一个具有C2v对称性、有效自旋为1的新的顺磁性缺陷,按惯例称为Si-PK3,其g和D的主值为g1=2.0048,g2=2.0118,g3=2.0085;D3=35.9×10-4cm-1,D2=-17.1×10-4cm-1,D3=-18.8×10-4cm-1.可能的微观结构是沿〈110〉晶向、在中间空位上俘获一个氧原子的平面三空位链.氢的存在可使它的退火消失温度由500℃降为350℃左右. |
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