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| 硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用 | |
| 作者姓名： | 陈开茅 秦国刚 兰李桥 |
| 作者单位： | 1 北京大学物理系 2 北京师范大学低能物理研究所 |
| 摘 要： | 本文研究了FZ与CZ硅中铜与电子辐照缺陷的相互作用.实验表明,这种作用使扩铜并经电子辐照的n型FZ硅出现两个未经报道的新的深中心,E(0.043)和E(0.396).前者只存在于FZ硅而不存在于CZ硅.后者在扩铜并经电子辐照的n型FZ和CZ硅中都存在.电子辐照再加适当温度的热处理还可电激活硅中的铜,另外,铜的存在还使硅中双空位的退火温度显著地降低.种种实验表明,在硅中与铜有关的六个主要能级分别对应于六种不同结构的深中心,在这些深中心之中既包含铜又包含点缺陷.其中E(0.043)很可能是铜与间隙硅原子的络合物,而E(0.167)及H(0.411)则很可能是铜与空位的不同形态的络合物. |
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