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| 自组织InAs／GaAs量子垂直排列生长研究 | |
| 引用本文： | 王志明,王凤莲.自组织InAs／GaAs量子垂直排列生长研究[J].物理学报,1998,47(1):89-93. |
| 作者姓名： | 王志明 王凤莲 |
| 摘 要： | 利用自组织生长ＩｎＡｓ／ＧａＡｓ量子点的垂直相关排列机制，生长了上下两层用６．５ｎｍＧａＡｓ间隔的ＩｎＡｓ结构、下层以ＩｎＡｓ已经成岛，由于应力传递效应，上层ＩｎＡｓ由二维生长向三维成岛生长的转变提前发生，临界厚度从１．７ＭＬ变成１．５ＭＬ，透射业微镜截面象显示形成上下两层高度差别很大的ＩｎＡｓ量子点，但是由于两层量子点之间存在器存在强烈的电子耦合，光致发光谱中只有与含大量子点的ＩｎＡｓ层相对应的 |
| 关 键 词： | 自组织 砷化钼 砷化镓 量子点生长 垂直排列 |
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