|
|||||
|
|
| GdCOB晶体的坩埚下降法生长 | |
| 作者姓名： | 钟真武 罗军 范世 |
| 作者单位： | 中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050;中国科学院上海硅酸盐研究所,上海,200050 |
| 摘 要： | 本文报道了非线性光学晶体Ca4GdO(BO3)3(GdCOB)的垂直Bridgman法生长.已获得直径25mm的高质量单晶.生长界面处的纵向温度梯度维持在30～40℃/cm,生长速度0.2～0.8mm/h.GdCOB晶体为二维成核的层状生长机制,易出现(111)及(20)解理面.讨论了影响生长的因素.保证原料配比准确和混料充分,减小温度波动和测温误差等是成功生长GdCOB晶体的重要因素. |
| 关 键 词： | 非线性光学晶体 GdCOB晶体 垂直Bridgman法 |
| 修稿时间： | 2000-04-19 |
| 本文献已被 维普 万方数据 等数据库收录！ | |
| 点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息 | |
| 点击此处可从《人工晶体学报》下载全文 | |