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| SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压 | |
| 作者姓名： | 汤晓燕 张义门 张玉明 |
| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60476007)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号：2002CB311904)资助的课题. |
| 摘 要： | SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.
关键词：
碳化硅
肖特基接触
阈值电压 |
| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基接触 阈值电压 |
| 收稿时间： | 2008-05-05 |
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