| SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压 |
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| 引用本文： | 汤晓燕,张义门,张玉明.SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压[J].物理学报,2009,58(1):494-497. |
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| 作者姓名： | 汤晓燕 张义门 张玉明 |
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| 作者单位： | 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室，西安电子科技大学微电子学院，西安 710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(批准号：60476007)和国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号：2002CB311904)资助的课题. |
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| 摘 要： | SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上，利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述，得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道，同时沟道进入强反型状态，此时的栅电压是该器件的阈值电压.
关键词：
碳化硅
肖特基接触
阈值电压
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| 关 键 词： | 碳化硅 肖特基接触 阈值电压 |
| 收稿时间： | 5/5/2008 12:00:00 AM |
The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET |
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| Tang Xiao-Yan,Zhang Yi-Men,Zhang Yu-Ming.The threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET[J].Acta Physica Sinica,2009,58(1):494-497. |
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| Authors: | Tang Xiao-Yan Zhang Yi-Men Zhang Yu-Ming |
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| Abstract: | Threshold voltage of SiC Schottky barrier source/drain MOSFET (SBSD MOSFETs) is different from the threshold voltage of traditional MOSFETs. Based on a comprehensive analysis of the operational mechanism，the threshold voltage of SBSD MOSFET is extracted and analyzed with 2-D simulator ISE. The threshold voltage of the device is defined as the gate voltage at which carriers from the source contact enter the channel by field emission while the channel is strongly inverted. |
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| Keywords: | silicon carbide Schottky contact threshold voltage |
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