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正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择
引用本文:白燕,李蕊,程涛,郑文杰,孟建新. 正交设计和均匀设计用于硒-金膜修饰电极制备条件的选择[J]. 分析试验室, 2003, 22(6): 9-12
作者姓名:白燕  李蕊  程涛  郑文杰  孟建新
作者单位:暨南大学化学系,广州,510632;暨南大学化学系,广州,510632;暨南大学化学系,广州,510632;暨南大学化学系,广州,510632;暨南大学化学系,广州,510632
基金项目:广东省自然科学基金资助项目(970630),国家基金 硒杂环化合物及其自组装膜的研究(20271022)
摘    要:硒代胱氨酸在硒 金(Se Au)膜修饰玻碳电极上产生两个灵敏的氧化还原峰:峰II(-500mV左右)和峰III(-327mV左右),以峰II的峰电流作为评价指标,采用正交设计与均匀设计相结合的方法对Se Au膜修饰电极的制备条件进行优化得到最佳优化条件:底液0.1mol LKCl;沉积电位为-850mV;沉积时间为60s;SeO2浓度为8.3×10-3mol L;AuCl3浓度为8.9×10-4mol L。均匀设计的数据应用Matlab计算机软件处理。依此制备的Se Au膜修饰电极性能稳定,用于硒代胱氨酸伏安特性研究有良好的重现性。

关 键 词:正交设计  均匀设计  硒-金膜修饰电极  硒代胱氨酸  Matlab程序
文章编号:1000-0720(2004)01-0009-04

Optimization of preparing conditions for Se-Au film modified electrodes using orthogonal design and uniform design
Abstract:
Keywords:Orthogonal design  Uniform design  Se-Au film modified electrodes  Matalab software  Selenocystine
本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录!
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