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| 感应耦合等离子体刻蚀p-GaN的表面特性 | |
| 作者姓名： | 吕玲 龚欣 郝跃 |
| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安 710071 |
| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号：51327020301)资助的课题. |
| 摘 要： | 研究了p-GaN材料经感应耦合等离子体(ICP)刻蚀后的表面特性,并用不同的方法对刻蚀表面进行处理.利用原子力显微镜(AFM)和X射线光电子能谱(XPS)对刻蚀样品进行分析,并在样品表面制作Ni/Au电极,进行欧姆接触特性的测试.实验结果表明了NaOH溶液处理表面对改善材料表面和欧姆接触特性是比较有效的.
关键词：
GaN
感应耦合等离子刻蚀
表面处理
欧姆接触 |
| 关 键 词： | GaN 感应耦合等离子刻蚀 表面处理 欧姆接触 |
| 文章编号： | 1000-3290/2008/57(02)/1128-05 |
| 收稿时间： | 2007-03-31 |
| 修稿时间： | 2007-06-21 |
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