| ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理 |
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| 引用本文： | 李金钗,朱昱,卢红兵,田玉. ZnO纳米结构的电化学法可控生长及其机理[J]. 武汉大学学报(理学版), 2007, 53(3): 337-341 |
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| 作者姓名： | 李金钗 朱昱 卢红兵 田玉 |
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| 作者单位： | 武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072 |
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| 摘 要： | 以溶胶-凝胶法制备c轴取向为主的ZnO薄膜作缓冲层,采用阴极电化学沉积技术制备高c轴取向ZnO纳米结构.在0.7 mA/cm2的恒定电流密度下生长出直径约50 nm、密度为2.5×107mm-2的垂直向上的ZnO纳米杆阵列,通过逐渐增大电流密度(0.4~0.9 mA/cm2)或逐渐减小电流密度(0.9~0.4 mA/cm2)分别研制出直径逐渐变小或变大的纳米杆阵列,实现了纳米杆形貌、尺寸的可控生长.c轴择优取向的同质ZnO缓冲层既为纳米杆的定向生长提供了形核中心又减小了纳米杆的晶格失配度,有ZnO缓冲层样品的强紫外光发射和较弱的与缺陷相关的可见光发射的光致发光结果证实了缓冲层对提高样品晶体质量的重要作用.
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| 关 键 词： | ZnO纳米杆 可控生长 电化学沉积 缓冲层 |
| 文章编号： | 1671-8836（2007）03-0337-05 |
| 修稿时间： | 2007-01-20 |
Controllable Growth of ZnO Nanostructures Via Electrochemical Route and Mechanism Research |
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| LI Jinchai,ZHU Yu,LU Hongbing,TIAN Yu. Controllable Growth of ZnO Nanostructures Via Electrochemical Route and Mechanism Research[J]. JOurnal of Wuhan University:Natural Science Edition, 2007, 53(3): 337-341 |
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| Authors: | LI Jinchai ZHU Yu LU Hongbing TIAN Yu |
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| Affiliation: | School of Physics and Technology, Wuhan University, Wuhan 430072, Hubei, China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | ZnO nanorods controllable growth electrochemical deposition buffer layer |
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