| Ni掺杂ZnS的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 曾冬,符春林,蔡苇,郭倩,谭平,张朝阳.Ni掺杂ZnS的第一性原理计算[J].人工晶体学报,2013(1):166-171. |
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| 作者姓名： | 曾冬 符春林 蔡苇 郭倩 谭平 张朝阳 |
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| 作者单位： | 重庆科技学院冶金与材料工程学院;电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室;中国工程物理研究院化工材料研究所 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51102288);重庆市自然基金重点项目(CSTC2011BA4027);电子薄膜与集成器件国家重点实验室开放基金(KFJJ201104);重庆市教委科学技术研究项目(KJ121408) |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函理论(DFT)赝势平面波方法计算了ZnS体系Ni掺杂前后的能带结构、态密度和光吸收系数曲线。结果表明:纯ZnS的能带结构是直接带隙,态密度显示属离子性较强而共价键较弱的混合键半导体材料。掺Ni的ZnS禁带宽度随掺杂量增加逐渐减小,能带简并度增大,且向低能方向移动;在价带顶出现杂质能级,说明是p型掺杂。纯ZnS在3.9 eV以下无吸收,红外透过率较高。掺Ni后吸收边红移,且在低能端(绿光区)出现新的吸收峰。
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| 关 键 词： | 第一性原理 硫化锌 电子结构 光学性质 掺杂 |
First-principles Calculation on Ni Doped ZnS |
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| ZENG Dong,FU Chun-lin,CAI Wei,GUO Qian,TAN Ping,ZHANG Chao-yang.First-principles Calculation on Ni Doped ZnS[J].Journal of Synthetic Crystals,2013(1):166-171. |
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| Authors: | ZENG Dong FU Chun-lin CAI Wei GUO Qian TAN Ping ZHANG Chao-yang |
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| Institution: | 1.School of Metallurgical and Materials Engineering,Chongqing University of Science and Technology,Chongqing 401331,China; 2.Institute of Chemicals Materials,China Academy of Engineering Physics,Mianyang 621900,China; 3.State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Intergrate Devices, University of Electronic Science and Technology of China,Chengdu 610054,China) |
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