| 纳秒脉冲等离子体合成射流激励器的流场特性分析 |
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| 作者姓名： | 于维鑫 朱文超 程晓 黄邦斗 章程 邵涛 |
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| 作者单位： | 中国科学院电工研究所等离子体科学和能源转化北京市国际科技合作基地, 北京100190;中国科学院大学, 北京100049;国民核生化灾害防护国家重点实验室, 北京102205;国网重庆市电力公司电力科学研究院, 重庆401121;中国科学院电工研究所等离子体科学和能源转化北京市国际科技合作基地, 北京100190 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(51577177)。 |
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| 摘 要： | 采用一台高重频、快上升沿纳秒脉冲电源作为激励源,对典型的双电极合成射流激励器进行放电,通过粒子图像测速法（particle image velocimetry,PIV）测量放电实验中激励器稳定流场特性以及发展速度.分析实验结果发现,随着重复频率的提高,合成射流的平均发展速度也随之增大,1 kHz时的平均速度最高达到28.28 m/s,并在单脉冲能量远低于微秒脉冲的情况下,实现了更快的稳态流场控制,表明高重复频率下,更多次数的脉冲放电可提高激励总能量,有效地弥补纳秒脉冲单脉冲输出能量不足的缺点.而且频率越高,流场发展速度越快,说明高重频工作模式会对输出总能量有补偿作用.
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| 关 键 词： | 等离子体合成射流 流场分析 PIV 纳秒脉冲 流动控制 |
| 收稿时间： | 2019-12-09 |
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