Der Dreistoff: Vanadium-Silicium-Germanium

Zusammenfassung V-Si-Ge-Legierungen werden aus den Komponenten hergestellt und röntgenographisch untersucht. V₃Si und V₃Ge bilden eine lückenlose Mischreihe. Ebenso gehen die T1-Phasen V₅Si₃ und V₅Ge₃ homogen über, was auch für die C-stabilisierten Phasen mit teilweise aufgefüllter Mn₅Si₃-Struktur gilt. V₁₁Ge₈ löst praktisch kein Silicid und steht mit V₅(Si, Ge)₃ und (Ge, Si)-Mischkristall im Gleichgewicht. Im Disilicid erfolgt ein Si/Ge-Austausch bis etwa 11 (1000°C Homogenisierungstemp.). Bei dieser Temp. tritt nach kurzen Glühzeiten das sogenannte Digermanid (V₁₇Ge₃₁) noch nicht in Erscheinung.

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V-Si-Ge-alloys have been prepared out of the components and examined. V₃Si and V₃Ge do form a contineous solid solution, the same is true for V₅Si₃ and V₅Ge₃ either for the W₅Si₃-structure or for the carbon stabilized Mn₅Si₃-type phases. V₁₁Ge₈ does not dissolve any silicide. There are equilibria between V₁₁Ge₈, V₅(Si,Ge)₃ and a (Ge, Si)-solid solution. Silicon can be substituted by germanium in VSi₂ up to 11 (1000°C homogenizing temperature). At this temperature the so called digermanide (V₁₇Ge₃₁) does not occur after a short anneal.

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Mit 1 Abbildung