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| 透射式GaAs光电阴极AlGaAs/GaAs外延层MOCVD过程中应变结构形成的研究 | |
| 作者姓名： | 李晓峰 张景文 高鸿楷 侯洵 |
| 作者单位： | 中国科学院西安光学精密机械研究所, 光电子学研究室,西安,710068 |
| 摘 要： | 本文介绍了AlGaAs/GaAs外延层生长的应变状况的生长温度控制模型,并根据AlGaAs/GaAs外延层X射线衍射摇摆曲线的分析从实验上验证了AlGaAs/GaAs外延生长的应变状况的生长温度控制模型. |
| 关 键 词： | GaAs AlGaAs X射线 光电阴极 外延 应变 晶格常量 |
| 收稿时间： | 2001-07-05 |
| 修稿时间： | 2001-07-05 |
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