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Cu掺杂的AlN铁磁性和光学性质的第一性原理研究
作者姓名:林竹  郭志友  毕艳军  董玉成
作者单位:华南师范大学信息光电子科技学院光电子材料与技术研究所,广州 510631
基金项目:国家自然科学基金(批准号:10674051),广东省自然科学基金(批准号:06025082)广东省科技计划项目(批准号:0711020500090),广州市科技攻关重大项目(批准号:2005Z1-D0071)课题的资助.
摘    要:采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势方法,结合广义梯度近似(GGA),对Cu掺杂AlN 32原子超原胞体系进行了几何结构优化,计算了Cu掺杂AlN的晶格常数,能带结构,电子态密度和光学性质.结果表明,Cu掺杂AlN会产生自旋极化状态,能带结构显示半金属性质,掺杂后带隙变窄,长波吸收加强,能量损失明显减小.同传统的稀磁半导体(DMS)相比,Cu掺杂AlN不会有铁磁性沉淀物的问题,因为Cu本身不具有磁性.因而,Cu掺杂的AlN也许是一种非常有前途的稀磁半导体. 关键词: AlN 第一性原理 铁磁性 光学性质

关 键 词:AlN  第一性原理  铁磁性  光学性质
收稿时间:2008-06-02
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