| 二维层状α-In2Se3(2H)铁电材料的各向异性光响应 |
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| 作者姓名： | 吕宝华 李玉珍 |
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| 作者单位： | 运城学院应用化学系, 运城 044000;运城学院工科实验实训中心, 运城 044000 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金(No.52002232)、山西省高校科技创新项目(No.2022L477)、运城学院博士科研启动项目(No.YQ-2023024)和先进永磁材料与技术省部共建协同创新中心2022年度规划课题(No.2022-06)资助 |
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| 摘 要： | 采用机械剥离法制备了 2H相 α-In2Se3[α-In2Se3(2H)]纳米片。通过 X射线衍射(X-ray diffraction,XRD)、拉曼光谱、球差电镜和压电力显微镜对纳米片的结构和铁电性能进行详细表征,确定纳米片为具有特殊结构的α-In2Se3(2H)铁电材料。进一步在SiO2//Si基片上成功构造了基于α-In2Se3(2H)铁电的平面四端器件,详细研究其在各个方向的光响应。结果表明,具有本征结构的 α-In2Se3(2H)在相互垂直方向均没有光响应。在器件两端分别施加电压后,α-In2Se3(2H)器件在相互垂直方向均出现了明显的光响应,尤其在接近于易极化轴方向施加电压后,α-In2Se3(2H)器件出现了各向异性光响应。
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| 关 键 词： | 二维层状α-In2Se3(2H) 机械剥离法 铁电性 各向异性光响应 |
| 收稿时间： | 2024-04-02 |
| 修稿时间： | 2024-07-16 |
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