| 提拉法制备铜单晶研究 |
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| 引用本文： | 娄有信,王继扬,张怀金,李强.提拉法制备铜单晶研究[J].人工晶体学报,2011,40(3):563-566. |
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| 作者姓名： | 娄有信 王继扬 张怀金 李强 |
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| 作者单位： | 山东大学晶体材料国家重点实验室,济南,250100;清华大学化学系,北京,100084 |
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| 摘 要： | 采用提拉法生长出大尺寸(111)铜单晶,晶体尺寸为ф(12～19)mm×85 mm.通过XRD、金相显微分析讨论了铜单晶的晶体结构与生长缺陷,并采用双臂电桥测定(111)铜单晶的电阻率.结果表明:晶体具有(111)取向、强度高,表明晶体取向良好;蚀坑呈典型三角锥形,位错密度在105～106 cm-2之间;在室温下,(111)铜单晶电阻率为1.289×10-8Ω·m.
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| 关 键 词： | 铜单晶 提拉法 晶体生长 晶体缺陷 |
Growth of Bulk Copper Single Crystal by Czochralski Technique |
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| LOU You-xin,WANG Ji-yang,ZHANG Huai-jin,LI Qiang.Growth of Bulk Copper Single Crystal by Czochralski Technique[J].Journal of Synthetic Crystals,2011,40(3):563-566. |
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| Authors: | LOU You-xin WANG Ji-yang ZHANG Huai-jin LI Qiang |
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| Institution: | LOU You-xin1,WANG Ji-yang1,ZHANG Huai-jin1,LI Qiang2(1.State Key Laboratory of Crystal Materials,Shandong University,Jinan 250100,China,2.Department of Chemistry,Tsinghua University,Beijing 100084,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | copper single crystal Czochralski method crystal growth crystal defects |
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