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Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响
引用本文:黄文娟,方庆清,王伟娜,吴克跃,张瀚铭,张启平. Mg掺杂对ZnO薄膜结构与磁性的影响[J]. 人工晶体学报, 2011, 40(4): 898-902
作者姓名:黄文娟  方庆清  王伟娜  吴克跃  张瀚铭  张启平
作者单位:安徽大学物理与材料科学学院,合肥,230039
基金项目:安徽省自然科学基金(090414177)
摘    要:采用脉冲激光沉积(PLD)方法在单晶Si(100)衬底上制备Zn1-xMgxO薄膜,研究了退火温度和氧压对Zn1-xMgxO薄膜的结构和磁性的影响.结果表明,Mg掺入量影响ZnO结构相变,当x≥0.25时,Zn1-xMgxO薄膜由六角纤锌矿结构变为立方结构,同时磁性增强.随着氧压的增大和后续退火温度的升高,都会使饱和磁化强度(Ms)呈先增大后减小的趋势.分析表明磁性的变化都与样品中的表面缺陷浓度有关.

关 键 词:Mg掺杂ZnO薄膜  室温铁磁性  表面缺陷,

Structure and Magnetic Properties of Mg Doped ZnO Thin Films
HUANG Wen-juan,FANG Qing-qing,WANG Wei-na,WU Ke-yue,ZHANG Han-ming,ZHANG Qi-ping. Structure and Magnetic Properties of Mg Doped ZnO Thin Films[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2011, 40(4): 898-902
Authors:HUANG Wen-juan  FANG Qing-qing  WANG Wei-na  WU Ke-yue  ZHANG Han-ming  ZHANG Qi-ping
Affiliation:HUANG Wen-juan,FANG Qing-qing,WANG Wei-na,WU Ke-yue,ZHANG Han-ming,ZHANG Qi-ping (School of Physics and Material Science,Anhui University,Hefei 230039,China)
Abstract:
Keywords:Mg doped ZnO thin films  room temperature ferromagnetism  surface defect  
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