| 基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响 |
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| 引用本文： | 蒋雅雅,赖珍荃,王震东,黄奇辉.基底温度对磁控溅射制备氮化钛薄膜的影响[J].南昌大学学报(理科版),2007,31(6):545-548. |
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| 作者姓名： | 蒋雅雅 赖珍荃 王震东 黄奇辉 |
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| 作者单位： | 1. 南昌大学,材料科学与工程学院,江西,南昌,330031
2. 南昌大学,理学院,江西,南昌,330031 |
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| 基金项目： | 江西省自然科学基金
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同济大学波与材料微结构重点实验室开放基金 |
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| 摘 要： | 在不同的基底温度下,采用直流磁控反应溅射法在硅基底上制备了氮化钛(TiNx)薄膜,研究了基底温度对薄膜结晶取向、表面形貌和导电性能的影响.实验结果表明:基底温度较低时,薄膜主要成分为四方相的Ti2N,具有(110)择优取向,当基底温度升高到360℃时薄膜中开始出现立方相的TiN.TiNx薄膜致密均匀,粗糙度小.随着基底温度的升高薄膜的电阻率显著减小.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 TiN薄膜 基底温度 基底温度 直流磁控反应溅射法 溅射制备 氮化钛薄膜 影响 Reactive Magnetron Sputtering Thin Films Titanium Nitride Substrate Temperature 电阻率 粗糙度 均匀 立方相 温度升高 择优取向 四方相 成分 结果 实验 导电性能 |
| 文章编号： | 1006-0464（2007）06-0545-04 |
| 收稿时间： | 2007-07-10 |
| 修稿时间： | 2007年7月10日 |
Effect of Substrate Temperature on Titanium Nitride Thin Films Grown by Reactive Magnetron Sputtering |
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| JIANG Ya-ya,LAI Zheng-quan,WANG Zheng-dong,HUANG Qi-hui.Effect of Substrate Temperature on Titanium Nitride Thin Films Grown by Reactive Magnetron Sputtering[J].Journal of Nanchang University(Natural Science),2007,31(6):545-548. |
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| Authors: | JIANG Ya-ya LAI Zheng-quan WANG Zheng-dong HUANG Qi-hui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | magnetron sputtering titanium nitride thin films substrate temperature |
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