| 锗对CZ Si中新施主的影响 |
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| 引用本文： | 张维连,孙军生,檀柏梅,张恩怀,张颖怀.锗对CZ Si中新施主的影响[J].人工晶体学报,2000,29(1):51-53. |
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| 作者姓名： | 张维连 孙军生 檀柏梅 张恩怀 张颖怀 |
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| 作者单位： | 河北工业大学半导体材料研究所,天津,300130 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目；河北省自然科学基金资助项目。 |
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| 摘 要： | 等价元素锗，掺入ＣＺＳｉ中后能提高硅中氧的固溶度和形成氧沉淀的临界半径，使得氧沉淀主要以均匀成核方式进行。同时，Ｇｅ容易与硅中空位表成较稳定的锗一空位复合体，降低了空位的浓度。本文简要地探讨了Ｇｅ在ＣＺＳｉ中抑制新施主形成的机理。
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| 关 键 词： | 等价掺杂 热处理 锗 直拉硅 IC器件 |
| 文章编号： | 1000-985X(2000)01-0011-03 |
| 修稿时间： | 1999-06-21 |
Effluence of Ge on New Donor in CZ Si |
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| ZHANG Wei-lian,SUN Jun-sheng,TAN Bai-mei,ZHANG En-huai,ZHANG Ying-huai.Effluence of Ge on New Donor in CZ Si[J].Journal of Synthetic Crystals,2000,29(1):51-53. |
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| Authors: | ZHANG Wei-lian SUN Jun-sheng TAN Bai-mei ZHANG En-huai ZHANG Ying-huai |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | CZ Si |
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