| ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能 |
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| 引用本文： | 魏小燕,孙晓燕,刘长友,徐亚东,杨睿,介万奇.ACRT-Te溶剂法生长的ZnTe∶Cr晶体的光谱性能[J].人工晶体学报,2012,41(5):1158-1162. |
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| 作者姓名： | 魏小燕 孙晓燕 刘长友 徐亚东 杨睿 介万奇 |
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| 作者单位： | 西北工业大学材料学院凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家重点基础研究发展计划(973)，凝固技术国家重点实验室自主课题 |
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| 摘 要： | 采用改进的ACRT-Te溶剂法制备了ZnTe∶ Cr晶体,并对晶体的光谱特性进行了表征.紫外-可见-近红外透过光谱分析表明,晶体在800 nm和1790 nm处出现了与Cr2+有关的强吸收,并在570 ～ 750 nm范围内存在与Zn空位有关的吸收.低温光致发光(PL)谱分析表明,晶体在530 nm附近和595 ～ 630 nm之间出现近带边(NBE)发射和自激活(SA)发射.进一步分析表明,NBE发射由受主束缚激子(A1,X)峰、电子-受主对(e,A)峰和施主-受主对(DAP)发光峰组成.利用Arrhenius公式对变温PL谱上的NBE峰进行拟合,得出样品在低温(＜50 K)和高温(＞50 K)时的热猝灭激活能分别为3.87 meV和59.53 meV.红外荧光谱分析表明,ZnTe∶ Cr晶体的室温荧光发射带为2～2.6 μm,荧光寿命为1.0 ×10-6s.
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| 关 键 词： | ACRT-Te溶剂法 ZnTe∶Cr晶体 透过光谱 可见光致发光谱 红外荧光谱 |
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