| HgI2晶体最低生长温度的确定 |
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| 引用本文： | 许岗,谷智,坚增运,惠增哲,刘翠霞,张改. HgI2晶体最低生长温度的确定[J]. 人工晶体学报, 2012, 41(5): 1195-1199 |
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| 作者姓名： | 许岗 谷智 坚增运 惠增哲 刘翠霞 张改 |
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| 作者单位： | 西安工业大学材料与化工学院,西安,710032;西北工业大学凝固技术国家重点实验室,西安,710072 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，西安工业大学凝固理论与功能材料科研创新团队基金，西北工业大学基础研究基金 |
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| 摘 要： | 为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ESD约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin.结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致.该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据.
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| 关 键 词： | 碘化汞 物理气相沉积 最低生长温度, |
Study on the Lowest Growth Temperature of Mercuric Iodide Crystal |
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| XU Gang , GU Zhi , JIAN Zeng-yun , XI Zeng-zhe , LIU Cui-xia , ZHANG Gai. Study on the Lowest Growth Temperature of Mercuric Iodide Crystal[J]. Journal of Synthetic Crystals, 2012, 41(5): 1195-1199 |
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| Authors: | XU Gang GU Zhi JIAN Zeng-yun XI Zeng-zhe LIU Cui-xia ZHANG Gai |
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