不同材料CMOS阵列电串扰特性的分析及比较 |
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作者姓名: | 边琦戚磊唐善发张蓉竹 |
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作者单位: | 四川大学电子信息学院,四川成都610065 |
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基金项目: | 四川省重大科技专项课题(2019ZDZX0038)。 |
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摘 要: | 从传感器的响应及电子扩散原理分析了影响CMOS阵列串扰特性的几个主要因素。选择了锗、硅、砷化镓这几种常见的光电材料,分析并比较了材料特性对CMOS阵列串扰特性的影响。具体分析了三种光电材料在各自光谱响应峰值波长下,不同入射条件和结构参数对应电串扰的输出情况。结果表明:在相同条件下,锗材料制作的CMOS阵列具有最大的电串扰输出,在结构条件一致的前提下,入射光的功率在200μW时,锗材料CMOS阵列的串扰比硅和砷化镓材料分别高了58.97 mV、115.81 mV。结构参数对不同材料CMOS阵列具有相同的影响规律,但是锗材料CMOS的串扰变化最为显著,在其他参数不变的情况下,耗尽层宽度为1μm时,锗材料CMOS的串扰输出比硅和砷化镓材料的分别高了56.67mV、121.84 mV。分析结果为CMOS阵列材料的选择及串扰抑制技术提供了参考数据。
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关 键 词: | CMOS图像传感器 阵列探测器 串扰电压 峰值波长 材料特性 |
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