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高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能
引用本文:王震东,赖珍荃,范定环,徐鹏.高择优取向Mo薄膜的直流磁控溅射制备及其电学性能[J].光子学报,2011(9):1342-1345.
作者姓名:王震东  赖珍荃  范定环  徐鹏
作者单位:南昌大学物理系;
基金项目:江西省自然科学基金(No.2010GQW0047); 江西省教育厅科技项目(No.GJJ10380)资助
摘    要:使用直流磁控溅射法在玻璃基底上沉积Mo薄膜,采用X射线衍射仪、原子力显微镜和四探针测试系统研究了溅射工艺对Mo薄膜的结构、形貌和电学性能的影响.结果表明:当基片温度为150℃时,薄膜获得(211)晶面择优取向生长,而在低于250℃的其它温度条件下,样品则表现为(110)晶面择优取向生长.进一步的表面形貌分析显示:薄膜的...

关 键 词:直流磁控溅射  Mo薄膜  高择优取向  电学性能

Fabrication and Electrical Properties of Highly Preferred Orientation Mo Thin Film by DC Magnetron Sputtering
WANG Zhen-dong,LAI Zhen-quan,HUAN Ding-huan,XU Peng.Fabrication and Electrical Properties of Highly Preferred Orientation Mo Thin Film by DC Magnetron Sputtering[J].Acta Photonica Sinica,2011(9):1342-1345.
Authors:WANG Zhen-dong  LAI Zhen-quan  HUAN Ding-huan  XU Peng
Institution:WANG Zhen-dong,LAI Zhen-quan,HUAN Ding-huan,XU Peng(Department of Physics,Nanchang University,Nanchang330031,China)
Abstract:
Keywords:DC magnetron sputtering  Mo thin film  Highly preferred orientation  Electrical property  
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