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Field plate structural optimization for enhancing the power gain of GaN-based HEMTs
Authors:
Zhang Kai
Cao Meng-Yi
Lei Xiao-Yi
Zhao Sheng-Lei
Yang Li-Yuan
Zheng Xue-Feng
Ma Xiao-Hua
and Hao Yue
Institution:
( a) Key Laboratory for Wide Band-Gap Semiconductor Materials and Devices, School of Microelectronics, Xidian University, Xi 'an 710071, China b) School of Technical Physics, Xidian University, Xi'an 710071, China)
Abstract:
GaN-based HEMTs, breakdown characteristics, field plates, power gain
Keywords:
GaN-based HEMTs
breakdown characteristics
field plates
power gain
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