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大颗粒立方氮化硼单晶的合成
引用本文:张铁臣,邹广田.大颗粒立方氮化硼单晶的合成[J].高压物理学报,1990,4(3):218-222.
作者姓名:张铁臣  邹广田
作者单位:吉林大学原子与分子物理研究所 (张铁臣,邹广田,郭伟力,徐晓伟,马文俊),吉林大学原子与分子物理研究所(郭学斌)
摘    要: 在Mg-B-N体系中通过控制立方氮化硼晶体的成核率及生长速度,在4.5~6.0 GPa、1 500~1 900 ℃的高压高温条件下,在几分钟时间内,成功地获得了粒径达毫米量级的立方氮化硼单晶体,其最大单晶粒径达1.6 mm。研究了该体系中立方氮化硼单晶的生长特性,讨论了该种单晶体在Mg-B-N体系中的生长机制。

关 键 词:立方氮化硼  成核率  生长机制
收稿时间:1990-04-09;

LARGE cBN CRYSTAL SYNTHESIS
Zhang Tiechen,Zou Guangtian,Guo Weili,Xu Xiaowei,Ma Wenjun,Guo Xuebin.LARGE cBN CRYSTAL SYNTHESIS[J].Chinese Journal of High Pressure Physics,1990,4(3):218-222.
Authors:Zhang Tiechen  Zou Guangtian  Guo Weili  Xu Xiaowei  Ma Wenjun  Guo Xuebin
Institution:Institute of Atomic and Molecular Physics. Jilin University
Abstract:Single crystals of cubic boron nitride with a diameter of about millimeter order were obtained by controlling the nucleation rate of cBN crystal under 4.5~6.0 GPa and 1 500~1 900 ℃ for several minutes. The maximal size of the cBN single crystals is 1.6 millimeter. The growth characteristic and mechanism of cBN crystal were also discussed.
Keywords:cubic boron nitride  nucleation rate  growth mechanism  
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