首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     检索      

Li3N-hBN体系合成cBN单晶“V”形区的相变热力学
引用本文:吕美哲,许,斌,杨红梅,郭晓斐,温振兴.Li3N-hBN体系合成cBN单晶“V”形区的相变热力学[J].人工晶体学报,2014,43(2):301-307.
作者姓名:吕美哲      杨红梅  郭晓斐  温振兴
作者单位:山东建筑大学材料科学与工程学院,济南,250101;山东建筑大学材料科学与工程学院,济南250101;山东大学材料科学与工程学院,济南250061
基金项目:国家自然科学基金(51272139)
摘    要:利用静态高温高压触媒法合成优质cBN单晶,合成温度和压强范围形成一“V”形区域.从Gibbs自由能(△G)角度分析了采用Li3N为触媒合成cBN单晶时,不同物相在“V”形区及其扩大区域(1600~2200 K、4.8 ~6.0 GPa)内向cBN相变的可能性.分别计算了高温高压下hBN+ Li3 N-→Li3 BN2 、hBN→cBN和Li3BN2→cBN+ Li3N三个反应的△G.结果表明:在“V”形区及其扩大区域内,前二个反应的△G均为负值,分别为-35~-10 kJ/mol和-25 ~-19k J/mol;而第三个反应的△G有正有负,其正值范围形成了一个温度、压强的“V”形区域.该“V”形区基本覆盖了以前文献中提到的“V”形区.这说明在合成优质cBN单晶的温度压强范围内,Li3 BN2稳定存在,不能分解出cBN.Li3N触媒体系内的cBN可能源自hBN的直接相变,而非Li3BN2的分解.但分析表明Li3BN2促进了hBN→cBN的相变.

关 键 词:cBN单晶  “V”形区  相变热力学  Gibbs自由能  

Phase Transition Thermodynamics of Cubic Boron Nitride in the V-shaped Area Synthesized in Li3N-hBN System
LV Mei-zhe,XU Bin,YANG Hong-mei,GUO Xiao-fei,WEN Zhen-xing.Phase Transition Thermodynamics of Cubic Boron Nitride in the V-shaped Area Synthesized in Li3N-hBN System[J].Journal of Synthetic Crystals,2014,43(2):301-307.
Authors:LV Mei-zhe  XU Bin  YANG Hong-mei  GUO Xiao-fei  WEN Zhen-xing
Abstract:
Keywords:
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《人工晶体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《人工晶体学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号