| 溅射制备纳米晶GaN:Er薄膜的室温发光特性 |
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| 引用本文： | 潘孝军,张振兴,王涛,李晖,谢二庆. 溅射制备纳米晶GaN:Er薄膜的室温发光特性[J]. 物理学报, 2008, 57(6) |
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| 作者姓名： | 潘孝军 张振兴 王涛 李晖 谢二庆 |
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| 基金项目： | 教育部跨世纪优秀人才培养计划 |
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| 摘 要： | 利用直流磁控共溅射方法制备了GaN:Er薄膜.X射线衍射结果显示薄膜为纳米多晶结构,根据谢乐公式,计算得到了GaN薄膜晶粒的平均大小为5.8nm;透射电子显微镜结果显示为非晶基质中镶嵌了GaN纳米颗粒,尺寸在6-8nm之间;紫外可见谱结果表明在500-700nm的可见光范围内,薄膜的平均透过率大于80%,在紫外可见谱基础上,利用Tauc公式计算得到了纳米晶GaN薄膜的光学带隙为3.22eV;最后,测量了GaN:Er薄膜的室温光致发光谱,获得了Er3 离子在554nm处的强烈绿光发射.
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| 关 键 词： | 纳米晶GaN薄膜 Er《'3 》掺杂 光学带隙 光致发光 溅射制备 纳米晶 薄膜 室温 发光特性 nanocrystalline photoluminescence visible temperature Room sputtering 绿光发射 光致发光谱 测量 光学带隙 公式计算 平均透过率 范围 可见光 紫外可见 |
Room temperature visible photoluminescence from nanocrystalline GaN: Er film prepared by sputtering |
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| Pan Xiao-Jun,Zhang Zhen-Xing,Wang Tao,Li Hui,Xie Er-Qing. Room temperature visible photoluminescence from nanocrystalline GaN: Er film prepared by sputtering[J]. Acta Physica Sinica, 2008, 57(6) |
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| Authors: | Pan Xiao-Jun Zhang Zhen-Xing Wang Tao Li Hui Xie Er-Qing |
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