| Lu-Eu共掺杂Ga2O3的光电性质的第一性原理计算 |
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| 引用本文： | 邹梦真,肖清泉,姚云美,付莎莎,叶建峰,唐华著,谢泉.Lu-Eu共掺杂Ga2O3的光电性质的第一性原理计算[J].原子与分子物理学报,2024,41(3):036003-157. |
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| 作者姓名： | 邹梦真 肖清泉 姚云美 付莎莎 叶建峰 唐华著 谢泉 |
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| 作者单位： | 贵州大学大数据与信息工程学院新型光电子材料与技术研究所 |
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| 摘 要： | 宽禁带半导体β-Ga2O3因为具有优良的物理化学性能而成为研究热点.本文基于DFT(Density Functional Theory)的第一性原理方法，先采用PBE(Perdew-Burke-Ernzerhof)中的GGA(Generalized Gradient Approximation)和GGA+U(Generalized Gradient Approximation-Hubbard U)的方法计算了本征β-Ga2O3,Lu掺杂浓度为12.5%的β-Ga2O3及Lu-Eu共掺杂浓度为25%的β-Ga2O3结构的晶格常数、能带结构和体系总能量.发现采用GGA+U的方法计算的带隙值更接近实验值，于是采用GGA+U的方法计算了本征β-Ga2O3,Lu掺杂的β-Ga2O3以及Lu-Eu共掺杂的β-Ga2O...
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| 关 键 词： | 第一性原理 Lu-Eu共掺β-Ga2O3 电子结构 光学性质 |
| 收稿时间： | 2022/7/30 0:00:00 |
| 修稿时间： | 2022/8/11 0:00:00 |
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