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| 外场作用下吡咯分子的物理性质研究 | |
| 作者姓名： | 张祥 刘珂珂 赵思宇 庄玉伟 李果果 庄海岩 李玉江 刘清 |
| 作者单位： | 1. 河南省科学院高新技术研究中心;2. 郑州诚志实业有限公司 |
| 基金项目： | 河南省科技攻关项目（222102320294）;河南省科技攻关项目（222102320184）;河南省科技攻关项目（222102240115） |
| 摘 要： | 吡咯分子是重要的有机半导体材料,适用于微电子和光电等多个领域,成功地引领了一场新的技术革命.本文基于密度泛函理论,使用B3LYP/6-311++g (d,p)方法研究了在0-0.03 a.u.的电场强度作用下,吡咯分子的物理特性变化规律.发现随着电场的增大,分子逐渐沿x轴方向被压缩,分子的偶极矩在减小,总能量在减小.分子的最高占据分子轨道能量基本保持不变,最低未占据分子轨道能量在不断地下降,致使分子的能带隙不断减小,无法保证能带隙的稳定性,从而降低了半导体材料的使用寿命.通过含时密度泛函计算可以发现:在不同的电场下,吡咯分子均出现两个紫外吸收峰,其中两个C=C双键的π-π*跃迁占主要贡献.但随着电场强度的增大,其在跃迁中的占比越来越小.考察在0.02 a.u.的电场下,紫外吸收峰主要由第6、11、13、15等激发态决定.这为更好地研究和设计半导体材料提供了良好的理论依据. |
| 关 键 词： | 吡咯 外电场 密度泛函理论 前线轨道 |
| 收稿时间： | 2023-01-31 |
| 修稿时间： | 2023-02-10 |
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